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江蘇省昆山市兆豐路18號(hao)亞太廣場5號(hao)樓1610室

CMOS型微型激光位移傳感器HG-C

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10μm高精度檢測※,CMOS型微型激光位移傳感器HG-C誕生!
產品詳情
技術參數

特點


配備0~+5V的模擬電壓輸出、4~20mA的模擬電流輸出※2

用測距傳感器規定測定值
? 直線性:±0.1%F.S.※1
? 溫度特性:0.03%F.S./℃
※1 : HG-C1030/HG-C1050/HG-C1100的情況(kuang)


不僅能(neng)以mm為單位顯(xian)示數值(zhi),還(huan)能(neng)讀(du)取模(mo)擬輸出數值(zhi)。 讀(du)入到PLC+模(mo)擬量單元,還(huan)能(neng)執(zhi)行各種運算(suan),并存儲(記(ji)錄)測量值(zhi)。

配備0~5V的模擬電壓輸出

※2 :從2016年(nian)6月生(sheng)產(chan)的(de)產(chan)品(pin)開始,也可(ke)選擇模(mo)擬(ni)電流輸出選項。

<緊湊>
形狀達到業內小型級別的CMOS激光傳感器

(※2023年9月,根據本公司調查)

設計出內部安裝有鏡面的新型光學系統
一般通過(guo)延(yan)長受光(guang)(guang)部(bu)分與(yu)受光(guang)(guang)元件(CMOS)之間的(de)光(guang)(guang)路(lu)長度(du),從(cong)而可獲(huo)得精度(du)更高(gao)、更穩定的(de)測(ce)量值,但是(shi)另(ling)一方(fang)面(mian),傳(chuan)感(gan)器的(de)進深方(fang)向(xiang)(xiang)會變(bian)長,機身形(xing)狀也(ye)會變(bian)大。HG-C系列設計出內部(bu)安裝有反射鏡的(de)新型光(guang)(guang)學(xue)系統,并(bing)縮短進深方(fang)向(xiang)(xiang)的(de)尺寸,同(tong)時又(you)可實現與(yu)變(bian)位傳(chuan)感(gan)器相媲美的(de)高(gao)精度(du)測(ce)量。

全新設計的內部反射鏡設置

采用鋁鑄外殼,使機身免受變形和溫度的困擾
采用同時兼顧輕量與強度(du)(du)的(de)鋁鑄外殼。雖(sui)然尺寸(cun)小巧,但(dan)是機身堅(jian)固,從而(er)減少外殼變形(xing)和(he)溫度(du)(du)等不穩定因素對測量精(jing)度(du)(du)所產(chan)生的(de)影(ying)響。

<占絕對優勢的穩定檢測>
實現1/100mm的高精度檢測

※HG-C1030(-P)的情況(kuang)

采用高精度CMOS傳感器&獨特的算法
采用(yong)位移傳(chuan)感器(qi)所使用(yong)的(de)高精度CMOS影(ying)像傳(chuan)感器(qi),以(yi)及位移傳(chuan)感器(qi)一直使用(yong)的(de)本公司獨特的(de)算(suan)法,使距離設定反射(she)型傳(chuan)感器(qi)實(shi)現前(qian)所未有的(de)高精度(1/100mm)。

搭載高精度CMOS傳感器&獨創演算法

配備便利的功能


教導功能

常規檢測模式

[2點教導]
基本教導方式。


自(zi)動在(zai)已教導的2點中(zhong)間設定基準值(zhi)。


[限定教導]
檢測微小物體或(huo)有背景物體時便(bian)捷的教導方式。

<以背景物體為基準時>
在(zai)傳感(gan)器(qi)側存在(zai)檢(jian)測物體時(shi),可以根據背景(jing)物體設定檢(jian)測基準值(zhi)。是檢(jian)測物體的尺寸(cun)發生(sheng)變化時(shi)比較方便(bian)的功能。

<以檢測物體為基準時>
以檢(jian)測(ce)物(wu)體(ti)為(wei)基(ji)準(zhun),在背(bei)景(jing)物(wu)體(ti)側設定基(ji)準(zhun)值。遠離背(bei)景(jing)物(wu)體(ti)時使用。


窗口比較模式

存在檢測物體的狀態下,只需按下 “TEACH”鍵,即可簡單地設定基準值。
另外,在2個基準值范圍內即判為OK,超出范圍即判為NG,1個輸出即可做出判定。


1點教導





針對與檢測物體基準面之間(jian)的距離,設置(zhi)上(shang)限值(zhi)和下限值(zhi),想(xiang)要通過(guo)上(shang)下限的范圍(wei) 進行判別(bie)時,使用(yong)該方式。

2點教導





執行2點教導,設定基準值范圍。

3點教導




執行3點(檢測物體A、B、C)教導時,教導值將會自動按照升序(教導值1、2、3)重新排列數值,在教導值1與教導值2之間設定基準值,并在教導值2與教導值3之間設定基準值,從而設定基準值范圍。


上升微分模式/下降微分模式

忽略緩慢的測量(liang)值(zhi)變化(hua),僅(jin)欲檢(jian)測劇(ju)烈(lie)變化(hua)時使用該(gai)模式。可利用基(ji)準值(zhi)微調功(gong)能設定基(ji)準值(zhi)。



設定定時功能

可設(she)定定時(shi)(shi)(shi)器的動作:“OFF延遲(chi)定時(shi)(shi)(shi)器”、“ON延遲(chi)定時(shi)(shi)(shi)器”、“單(dan)觸式定時(shi)(shi)(shi)器”、“無(wu)定時(shi)(shi)(shi)器”。定時(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)間固定為5ms。


設定定時功能

OFF延遲定時器
<功能> 使輸出信號延遲5ms。
<用途> 連接機器的響應速度較慢,檢測時間無法滿足其要求時,宜使用該設定。

ON延遲定時器
<功能> 從檢測時開始,使5ms內的輸出信號無效。
<用途> 想要使短時間信號無效的情況下,以及需要利用時間差進行控制的情況下,可方便地使用該設定。

單觸式定時器
<功能>從檢測時開始,僅在5ms內發送輸出信號。
<用途> 根據連接機器的輸入條件,信號時間必須保持恒定時,宜使用該設定。另外,想要使短時間的信號延長至必要的時間寬度時,也可有效使用該設定。

調零功能
該功(gong)能可使測量值強(qiang)制(zhi) “調零”。可任意決定(ding)零點。以(yi)檢(jian)測物體(ti)的高度為基準(zhun)值,測量其公(gong)差(cha)的情況下,或者測量段差(cha)時,可方(fang)便地使用該功(gong)能。

調零功能
※調零功能有效時,調零指示燈(黃色)將會點亮。
※峰值·谷值保持功能有效時,如執行調零功能,則會使所保持的測量值復位。
※顯示設定設為偏移時,將無法設置調零功能。

設定外部輸入功能
可從以下4個功(gong)(gong)能(neng)中選擇1個分(fen)配到外(wai)部輸入線:“調零功(gong)(gong)能(neng)”、“教(jiao)導功(gong)(gong)能(neng)”、“停止(zhi)投光功(gong)(gong)能(neng)”、“觸發功(gong)(gong)能(neng)”。

設定外部輸入功能

設定顯示功能
相對于檢測物體的移動方向,可選擇以下三種顯示方法 :“通常”、“反轉”、“偏移”。

例:HG-C1050(-P)

設定顯示功能


峰值、谷值保持功能

配備有峰值保持功能或者谷值保持功能。
峰值保持功能:該功能有效時,將會保持測量值的最大值,顯示并輸出保持值。
谷值保持功能:該功能有效時,將會保持測量值的最小值,顯示并輸出保持值。

※不能同時設定峰值保持功能和谷值保持功能。
※設定峰值保持功能或者谷值保持功能時,如執行調零功能,則會使所保持的測量值復位。



基準值微調功能

可在測量畫面中微調(diao)基準(zhun)值。教導后,也可對基準(zhun)值進行微調(diao)。



按鍵鎖定功能

可使按鍵操作(zuo)失效,以免錯誤(wu)地更改(gai)已設定的(de)條件。


※關(guan)于其(qi)他功能以及各功能的(de)設(she)定步驟,。

微晶石平整度檢測新利器[HG-C1050L]


陶瓷行業特別推薦

專用方式,有效區分表層(ceng)(透(tou)(tou)明(ming))與底層(ceng)(非透(tou)(tou)明(ming))平面,準確測(ce)量表層(ceng)的平整度。



搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧

繼承HG-C1000搭載高精度CMOS及(ji)小尺寸的特性(xing),在此基礎上追(zhui)加微(wei)晶石(shi)檢(jian)測專用(yong)方(fang)式,實(shi)現(xian)光澤表面的精準檢(jian)測。



雙重模擬輸出可切換

配備(bei)模(mo)擬(ni)電(dian)流4mA~20mA輸出,模(mo)擬(ni)電(dian)壓0V~5V輸出,兩種輸出方式(shi)可切換,用戶按需(xu)選擇。(默認(ren):模(mo)擬(ni)電(dian)流輸出)


規格

種類測量中心距離200mm型測量中心距離400mm型

NPN
輸出
HG-C1200HG-C1400
PNP
輸出
HG-C1200-PHG-C1400-P
符合規則及認證CE認證(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標志(EMC標準、RoHS標準)、FDA規則、UL/c-UL認證(注6)
測量中心距離200mm400mm
測量范圍±80mm±200mm
重復精度200μm300μm(測量距離200~400mm)
800μm(測量距離400~600mm)

直線性±0.2%F.S.±0.2%F.S.(測量距離200~400mm)
±0.3%F.S.(測量距離400~600mm)

溫度特性0.03% F.S./℃
光源紅色半導體激光 2級[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA(注2)]
最大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm

光束直徑
(注3)
約?300μm約?500μm
電源電壓12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
消耗電流(注4)40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出<NPN輸出型>
NPN開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

<PNP輸出型>
PNP開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

 輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換
短路保護配備(自動恢復)
模擬輸出模擬電壓輸出?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
模擬電流輸出(注5)?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
反應時間1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ

污損度2
使用標高2,000m以下



保護構造IP67(IEC)
使用環境
溫度
-10~+45℃(注意不可結露、結冰)、儲存時:-20~+60℃
使用環境
濕度
35%RH~85%RH、儲存時:35%RH~85%RH
使用環境
照度
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
耐振動耐久10~55Hz(周期1分鐘)  雙振幅1.5mm  XYZ各方向2小時
耐沖擊耐久500m/s2(約50G)  XYZ各方向3次
電纜0.2mm2 5芯復合電纜,長2m
延長電纜0.3mm2以上電纜 最多延長至全長10m

材質本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
重量本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)


(注1):未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環境溫度:+20℃ 響應時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2):本產品根據Laser Notice No.56規定,除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外,還符合FDA標準(FDA 21 CFR 1040.10和1040.11)。
(注3):測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結果可能會受到影響。
(注4):從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(注5):從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
(注6):自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。


種類測量中心距離30mm型測量中心距離50mm型測量中心距離100mm型

NPN
輸出
HG-C1030HG-C1050HG-C1100
PNP
輸出
HG-C1030-PHG-C1050-PHG-C1100-P
符合規則及認證CE認證(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標志(EMC標準、RoHS標準)、FDA規則、UL/c-UL認證(注6)
測量中心距離30mm50mm100mm
測量范圍±5mm±15mm±35mm
重復精度10μm30μm70μm
直線性±0.1% F.S.
溫度特性0.03% F.S./℃
光源紅色半導體激光 2級[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA(注2)]
最大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm
光束直徑
(注3)
約?50μm約?70μm約?120μm
電源電壓12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
消耗電流(注4)40mA以下(電源電壓24V DC時)65mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出 〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? 最大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換
短路保護配備(自動恢復)
模擬輸出模擬電壓輸出?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
模擬電流輸出(注5)?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
反應時間1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
污損度2
使用標高2,000m以下
耐環境性保護構造IP67(IEC)
使用環境
溫度
-10~+45℃(注意不可結露、結冰)、存儲時20~+60℃
使用環境
濕度
35%RH~85%RH,存儲時:35%RH~85%RH
使用環境
照度
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
電纜0.2mm2 5芯復合電纜,長2m
材質本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
重量本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)


(注1):未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環境溫度:+20℃ 響應時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2):本產品根據Laser Notice No.56規定,除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外,還符合FDA標準(FDA 21 CFR 1040.10和1040.11)。
(注3):測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結果可能會受到影響。
(注4):從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(注5):從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
(注6):自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。


種類測量中心距離50mm型


NPN
輸出
HG-C1050L

PNP
輸出
HG-C1050L-P

符合規則及認證CE標志(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標志(EMC標準、RoHS標準)、UL/c-UL認證(注4)

測量中心距離50mm

測量范圍±4mm

重復精度20μm

直線性±0.3% F.S.
溫度特性0.03% F.S./℃

光源紅色半導體激光 1級(JIS/IEC/GB)
最大輸出:0.2mW、發光光束波長:655nm


光束直徑
(注2)
約?150μm

受光元件CMOS圖形傳感器

電源電壓12V~24V DC±10% 脈動P-P10%

消耗電流40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

控制輸出 〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? 最大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下


輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換

短路保護配備(自動恢復)

模擬輸出電壓?輸出范圍:0V~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω


電流?輸出范圍:4mA~20mA(報警時:0mA)
?負載阻抗:300Ω最大


反應時間1.5ms/5ms/10ms 可切換

外部輸入〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8V~+V DC或者開放
有效:0V~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0V~+0.6V DC或者開放
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ


保護構造IP67(IEC)

污染度2

使用環境溫度-10℃~+45℃(注意不可結露、結冰)、存儲時:-20℃~+60℃

使用環境濕度35%RH~85%RH、存儲時:35%RH~85%RH

使用環境照度白熾燈:受光面照度3,000 lx以下

使用標高2,000m以下

電纜0.2mm2 5芯復合電纜長2m

材質本體外殼:鋁鑄件 前面蓋板:丙烯基

重量約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)

適用規格符合EMC指令


(注1):未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC、環境溫度:+20℃、反應時間:10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2):該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有漏光,并且 檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,檢測結果可能會受到影響。
(注3):測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結果可能會受到影響。
(注4):HL-C1050L(-P)自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。



CMOS型微型激光位移傳感器HG-C
CMOS型微型激光位移傳感器HG-C

CMOS型微型激光位移傳感器HG-C

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10μm高精度檢測※,CMOS型微型激光位移傳感器HG-C誕生!
產品詳情
技術參數

特點


配備0~+5V的模擬電壓輸出、4~20mA的模擬電流輸出※2

用測距傳感器規定測定值
? 直線性:±0.1%F.S.※1
? 溫度特性:0.03%F.S./℃
※1 : HG-C1030/HG-C1050/HG-C1100的情(qing)況


不僅能(neng)以mm為單(dan)位顯(xian)示數值,還(huan)能(neng)讀取(qu)模(mo)擬輸(shu)出(chu)數值。 讀入(ru)到(dao)PLC+模(mo)擬量單(dan)元,還(huan)能(neng)執行各種運(yun)算,并存儲(記錄)測(ce)量值。

配備0~5V的模擬電壓輸出

※2 :從2016年6月生產的產品(pin)開(kai)始,也可選擇(ze)模擬電(dian)流輸出選項。

<緊湊>
形狀達到業內小型級別的CMOS激光傳感器

(※2023年(nian)9月(yue),根(gen)據本公司調(diao)查(cha))

設計出內部安裝有鏡面的新型光學系統
一般通過(guo)延長(chang)受光(guang)部(bu)分(fen)與(yu)受光(guang)元(yuan)件(CMOS)之間的(de)(de)光(guang)路長(chang)度(du),從而可獲得精(jing)度(du)更高、更穩定的(de)(de)測(ce)量值,但是另一方(fang)(fang)面,傳(chuan)感(gan)器的(de)(de)進深(shen)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)會(hui)變長(chang),機(ji)身(shen)形狀也(ye)會(hui)變大。HG-C系列(lie)設計出內部(bu)安裝有反射鏡的(de)(de)新(xin)型光(guang)學(xue)系統,并縮(suo)短(duan)進深(shen)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)的(de)(de)尺(chi)寸,同時又可實(shi)現與(yu)變位(wei)傳(chuan)感(gan)器相媲(pi)美(mei)的(de)(de)高精(jing)度(du)測(ce)量。

全新設計的內部反射鏡設置

采用鋁鑄外殼,使機身免受變形和溫度的困擾
采用同時兼顧(gu)輕量(liang)與強度的鋁(lv)鑄外殼。雖(sui)然尺寸小巧(qiao),但(dan)是機身堅固,從而(er)減(jian)少(shao)外殼變形(xing)和溫(wen)度等不(bu)穩定因(yin)素對測量(liang)精度所產生的影響。

<占絕對優勢的穩定檢測>
實現1/100mm的高精度檢測

※HG-C1030(-P)的情況(kuang)

采用高精度CMOS傳感器&獨特的算法
采用位(wei)移傳感器(qi)所使(shi)用的高精度CMOS影(ying)像傳感器(qi),以及位(wei)移傳感器(qi)一直使(shi)用的本公司獨特的算法,使(shi)距離(li)設定(ding)反射型(xing)傳感器(qi)實(shi)現前所未有(you)的高精度(1/100mm)。

搭載高精度CMOS傳感器&獨創演算法

配備便利的功能


教導功能

常規檢測模式

[2點教導]
基本教導方式。


自動在已教(jiao)導(dao)的2點中間設定基準值。


[限定教導]
檢(jian)測微小(xiao)物(wu)(wu)體或有背景物(wu)(wu)體時便捷的教導方式。

<以背景物體為基準時>
在傳感器側存在檢測物(wu)體(ti)時,可(ke)以根(gen)據背景物(wu)體(ti)設定檢測基(ji)準值(zhi)。是檢測物(wu)體(ti)的(de)尺(chi)寸發生變(bian)化時比(bi)較方便(bian)的(de)功能。

<以檢測物體為基準時>
以檢測(ce)物體為(wei)基(ji)(ji)準,在背(bei)景物體側設定基(ji)(ji)準值。遠(yuan)離背(bei)景物體時使用(yong)。


窗口比較模式

存在檢測物體的狀態下,只需按下 “TEACH”鍵,即可簡單地設定基準值。
另外,在2個基準值范圍內即判為OK,超出范圍即判為NG,1個輸出即可做出判定。


1點教導





針(zhen)對與(yu)檢測物體基準面之間(jian)的距離,設置(zhi)上(shang)限(xian)(xian)值(zhi)和下限(xian)(xian)值(zhi),想要通過上(shang)下限(xian)(xian)的范圍(wei) 進(jin)行(xing)判別時,使用該方(fang)式。

2點教導





執行2點教導,設定基準值范圍。

3點教導




執行3點(檢測物體A、B、C)教導時,教導值將會自動按照升序(教導值1、2、3)重新排列數值,在教導值1與教導值2之間設定基準值,并在教導值2與教導值3之間設定基準值,從而設定基準值范圍。


上升微分模式/下降微分模式

忽略緩慢(man)的測(ce)量值變化,僅(jin)欲檢測(ce)劇烈變化時使用該(gai)模(mo)式。可利用基準(zhun)值微調功能設定基準(zhun)值。



設定定時功能

可設定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)時(shi)(shi)(shi)器(qi)(qi)的動作(zuo):“OFF延遲(chi)定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)時(shi)(shi)(shi)器(qi)(qi)”、“ON延遲(chi)定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)時(shi)(shi)(shi)器(qi)(qi)”、“單(dan)觸(chu)式定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)時(shi)(shi)(shi)器(qi)(qi)”、“無定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)時(shi)(shi)(shi)器(qi)(qi)”。定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)時(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)間固(gu)定(ding)(ding)(ding)(ding)(ding)為(wei)5ms。


設定定時功能

OFF延遲定時器
<功能> 使輸出信號延遲5ms。
<用途> 連接機器的響應速度較慢,檢測時間無法滿足其要求時,宜使用該設定。

ON延遲定時器
<功能> 從檢測時開始,使5ms內的輸出信號無效。
<用途> 想要使短時間信號無效的情況下,以及需要利用時間差進行控制的情況下,可方便地使用該設定。

單觸式定時器
<功能>從檢測時開始,僅在5ms內發送輸出信號。
<用途> 根據連接機器的輸入條件,信號時間必須保持恒定時,宜使用該設定。另外,想要使短時間的信號延長至必要的時間寬度時,也可有效使用該設定。

調零功能
該功(gong)(gong)能(neng)(neng)可使(shi)測量值強(qiang)制 “調零(ling)”。可任意(yi)決定零(ling)點。以檢(jian)測物(wu)體的高度為基準值,測量其公(gong)差的情(qing)況下,或者測量段差時,可方(fang)便(bian)地使(shi)用該功(gong)(gong)能(neng)(neng)。

調零功能
※調零功能有效時,調零指示燈(黃色)將會點亮。
※峰值·谷值保持功能有效時,如執行調零功能,則會使所保持的測量值復位。
※顯示設定設為偏移時,將無法設置調零功能。

設定外部輸入功能
可從以下(xia)4個(ge)功(gong)能(neng)中選擇1個(ge)分配(pei)到外部(bu)輸(shu)入線(xian):“調(diao)零(ling)功(gong)能(neng)”、“教導功(gong)能(neng)”、“停(ting)止投光功(gong)能(neng)”、“觸(chu)發功(gong)能(neng)”。

設定外部輸入功能

設定顯示功能
相對于檢測物體的移動方向,可選擇以下三種顯示方法 :“通常”、“反轉”、“偏移”。

例:HG-C1050(-P)

設定顯示功能


峰值、谷值保持功能

配備有峰值保持功能或者谷值保持功能。
峰值保持功能:該功能有效時,將會保持測量值的最大值,顯示并輸出保持值。
谷值保持功能:該功能有效時,將會保持測量值的最小值,顯示并輸出保持值。

※不能同時設定峰值保持功能和谷值保持功能。
※設定峰值保持功能或者谷值保持功能時,如執行調零功能,則會使所保持的測量值復位。



基準值微調功能

可在(zai)測(ce)量畫面中微調基準值。教導后,也可對基準值進(jin)行微調。



按鍵鎖定功能

可使按鍵操作失效(xiao),以(yi)免錯誤地更(geng)改已設定的條件。


※關于其他功(gong)能(neng)以(yi)及各功(gong)能(neng)的設(she)定步驟(zou),。

微晶石平整度檢測新利器[HG-C1050L]


陶瓷行業特別推薦

專(zhuan)用方(fang)式,有效區(qu)分表層(ceng)(透明(ming))與底層(ceng)(非透明(ming))平面,準確測量(liang)表層(ceng)的平整度。



搭載CMOS,高精度&小尺寸兼顧

繼承HG-C1000搭載高精度(du)CMOS及小尺寸的特性,在(zai)此基礎上追加微晶石檢測專用方式,實現光澤(ze)表面(mian)的精準檢測。



雙重模擬輸出可切換

配(pei)備模擬電流(liu)4mA~20mA輸(shu)出(chu),模擬電壓(ya)0V~5V輸(shu)出(chu),兩種輸(shu)出(chu)方式可切換,用戶按(an)需選擇。(默認:模擬電流(liu)輸(shu)出(chu))


規格

種類測量中心距離200mm型測量中心距離400mm型

NPN
輸出
HG-C1200HG-C1400
PNP
輸出
HG-C1200-PHG-C1400-P
符合規則及認證CE認證(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標志(EMC標準、RoHS標準)、FDA規則、UL/c-UL認證(注6)
測量中心距離200mm400mm
測量范圍±80mm±200mm
重復精度200μm300μm(測量距離200~400mm)
800μm(測量距離400~600mm)

直線性±0.2%F.S.±0.2%F.S.(測量距離200~400mm)
±0.3%F.S.(測量距離400~600mm)

溫度特性0.03% F.S./℃
光源紅色半導體激光 2級[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA(注2)]
最大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm

光束直徑
(注3)
約?300μm約?500μm
電源電壓12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
消耗電流(注4)40mA以下(電源電壓24V DC時)、65mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出<NPN輸出型>
NPN開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

<PNP輸出型>
PNP開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

 輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換
短路保護配備(自動恢復)
模擬輸出模擬電壓輸出?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
模擬電流輸出(注5)?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
反應時間1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ

污損度2
使用標高2,000m以下



保護構造IP67(IEC)
使用環境
溫度
-10~+45℃(注意不可結露、結冰)、儲存時:-20~+60℃
使用環境
濕度
35%RH~85%RH、儲存時:35%RH~85%RH
使用環境
照度
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
耐振動耐久10~55Hz(周期1分鐘)  雙振幅1.5mm  XYZ各方向2小時
耐沖擊耐久500m/s2(約50G)  XYZ各方向3次
電纜0.2mm2 5芯復合電纜,長2m
延長電纜0.3mm2以上電纜 最多延長至全長10m

材質本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
重量本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)


(注1):未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環境溫度:+20℃ 響應時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2):本產品根據Laser Notice No.56規定,除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外,還符合FDA標準(FDA 21 CFR 1040.10和1040.11)。
(注3):測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結果可能會受到影響。
(注4):從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(注5):從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
(注6):自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。


種類測量中心距離30mm型測量中心距離50mm型測量中心距離100mm型

NPN
輸出
HG-C1030HG-C1050HG-C1100
PNP
輸出
HG-C1030-PHG-C1050-PHG-C1100-P
符合規則及認證CE認證(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標志(EMC標準、RoHS標準)、FDA規則、UL/c-UL認證(注6)
測量中心距離30mm50mm100mm
測量范圍±5mm±15mm±35mm
重復精度10μm30μm70μm
直線性±0.1% F.S.
溫度特性0.03% F.S./℃
光源紅色半導體激光 2級[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA(注2)]
最大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm
光束直徑
(注3)
約?50μm約?70μm約?120μm
電源電壓12~24V DC±10% 脈動P-P10%以下
消耗電流(注4)40mA以下(電源電壓24V DC時)65mA以下(電源電壓12V DC時)
控制輸出 〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? 最大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)
? 漏電流:0.1mA以下
輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換
短路保護配備(自動恢復)
模擬輸出模擬電壓輸出?輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω
模擬電流輸出(注5)?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)
?輸出阻抗:300Ω
反應時間1.5ms/5ms/10ms 可切換
外部輸入〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8~+V DC或開路
有效:0~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0~+0.6V DC或開路
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
污損度2
使用標高2,000m以下
耐環境性保護構造IP67(IEC)
使用環境
溫度
-10~+45℃(注意不可結露、結冰)、存儲時20~+60℃
使用環境
濕度
35%RH~85%RH,存儲時:35%RH~85%RH
使用環境
照度
白熾燈:受光面照度3,000 lx以下
電纜0.2mm2 5芯復合電纜,長2m
材質本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基
重量本體重量:約35g(不含電纜),約85g(含電纜)


(注1):未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC 環境溫度:+20℃ 響應時間:10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2):本產品根據Laser Notice No.56規定,除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外,還符合FDA標準(FDA 21 CFR 1040.10和1040.11)。
(注3):測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結果可能會受到影響。
(注4):從2016年6月生產的產品開始進行規格變更。
2016年5月前生產的產品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
(注5):從2016年6月生產的產品開始追加了模擬電流輸出功能。
(注6):自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。


種類測量中心距離50mm型


NPN
輸出
HG-C1050L

PNP
輸出
HG-C1050L-P

符合規則及認證CE標志(EMC指令、RoHS指令)、UKCA標志(EMC標準、RoHS標準)、UL/c-UL認證(注4)

測量中心距離50mm

測量范圍±4mm

重復精度20μm

直線性±0.3% F.S.
溫度特性0.03% F.S./℃

光源紅色半導體激光 1級(JIS/IEC/GB)
最大輸出:0.2mW、發光光束波長:655nm


光束直徑
(注2)
約?150μm

受光元件CMOS圖形傳感器

電源電壓12V~24V DC±10% 脈動P-P10%

消耗電流40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

控制輸出 〈NPN輸出型〉
NPN開路集電極晶體管
? 最大流入電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和0V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下

〈PNP輸出型〉
PNP開路集電極晶體管
? 最大源電流:50mA
? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間)
? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA下)
? 漏電流:0.1mA以下


輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換

短路保護配備(自動恢復)

模擬輸出電壓?輸出范圍:0V~5V(報警時:+5.2V)
?輸出阻抗:100Ω


電流?輸出范圍:4mA~20mA(報警時:0mA)
?負載阻抗:300Ω最大


反應時間1.5ms/5ms/10ms 可切換

外部輸入〈NPN輸出型〉
NPN無接點輸入
?輸入條件
無效:+8V~+V DC或者開放
有效:0V~+1.2V DC
?輸入阻抗:約10kΩ

<PNP輸出型>
PNP無接點輸入
?輸入條件
無效:0V~+0.6V DC或者開放
有效:+4~+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ


保護構造IP67(IEC)

污染度2

使用環境溫度-10℃~+45℃(注意不可結露、結冰)、存儲時:-20℃~+60℃

使用環境濕度35%RH~85%RH、存儲時:35%RH~85%RH

使用環境照度白熾燈:受光面照度3,000 lx以下

使用標高2,000m以下

電纜0.2mm2 5芯復合電纜長2m

材質本體外殼:鋁鑄件 前面蓋板:丙烯基

重量約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)

適用規格符合EMC指令


(注1):未指定測量條件時,使用條件如下:電源電壓:24V DC、環境溫度:+20℃、反應時間:10ms、測量中心 距離的模擬輸出值。對象物體:白色陶瓷。
(注2):該值為測量中心距離上的值。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義這些值。如果定義區域外有漏光,并且 檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,檢測結果可能會受到影響。
(注3):測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光,并且檢測點范圍有高于檢測點本身的強反射,測定結果可能會受到影響。
(注4):HL-C1050L(-P)自2017年3月生產的產品開始符合UL/c-UL認證。



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